TY - JOUR T1 - Role of segregation in InAs/GaAs quantum dot structures capped with a GaAsSb strain-reduction layer JO - PHYS REV B PY - 2009/10/01 AU - Haxha V AU - Drouzas I AU - Ulloa JM AU - Bozkurt M AU - Koenraad PM AU - Mowbray DJ AU - Liu HY AU - Steer MJ AU - Hopkinson M AU - Migliorato MA ED - DO - DOI: 10.1103/PhysRevB.80.165334 VL - 80 IS - 16 Y2 - 2025/05/12 ER -