TY  - JOUR

T1  - Carrier lifetimes in type-II InAs quantum dots capped with a GaAsSb strain reducing layer

JO  - Applied Physics Letters

PY  - 2008/06/23

AU  - Jang YD

AU  - Badcock TJ

AU  - Mowbray DJ

AU  - Skolnick MS

AU  - Park J

AU  - Lee D

AU  - Liu HY

AU  - Steer MJ

AU  - Hopkinson M

ED  - 

DO  - DOI: 10.1063/1.2949741

PB  - AIP Publishing

VL  - 92

IS  - 25

SP  - 251905

EP  - 251905

Y2  - 2025/04/05

ER  -