TY - JOUR T1 - TEM analysis of Ge-on-Si MOSFET structures with HfO2 dielectric for high performance PMOS device technology JO - Journal of Physics: Conference Series PY - 2010/01/01 AU - Norris DJ AU - Walther T AU - Cullis AG AU - Myronov M AU - Dobbie A AU - Whall T AU - Parker EHC AU - Leadley DR AU - De Jaeger B AU - Lee W AU - Meuris M et al ED - DO - DOI: 10.1088/1742-6596/209/1/012061 VL - 209 Y2 - 2025/04/30 ER -